oxide의 불안정한 상태 때문에 Ge보다는 Si 사용한 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)이 반도체산업의 중심에 서있다. 이러한 MOSFET의 바탕이 되는 MOS를 이용한 capacitor 즉 MOS capacitor는 유전체로써 oxide를 사용하였기 때문에 붙여진 이름이며 이번 실험에서 제작할 소자이다. 전기신호의 증폭과 스
Characteristic of MOGS
1. Metal oxides possess electronic, chemical, and physical properties of high sensitivity to changes in their chemical environment.
2. The sensing properties of semiconductor metal oxide assures improved selectivity and stability
3. Their peculiar characteristics and size effects make them interesting for metal oxide gas sensors
The reason we take Nox as targe
Lithography
Si Wafer coated with PR
Spin coating
PR is coated evenly by turning round rapidly.
Exposure
Align the Mask exactly and emit UV.(fixed 10sec)
Observation
See the completed sample through SEM
Development
∙ Dip the sample in the alkaline solution.
→(process parameter : 10sec 60sec 180sec)
∙ Due to differences in solubility of the exposed portion to be dissolv
3. a-IGZO기반
Oxide
TFT문제점
채널층에서 발생하는 문제
① 대기 중 산소나 수분과
금속의 자유전자가 반응
=> 자유전자 감소
② 빛에 의해 정공이 생성 됨
=> 정공 증가
↓
전기특성 신뢰도 감소
Transistor Switching 원리
채널이 형성되어
Source와 Drain간에
전류가 흐르기
문턱전압은 0.7V가 일반적입니다. 저희 실험값은 3.7V가 나왔는데 좀 크게 나온것을 알 수 있씁니다.
Mobility 값은 300K 실온에서 Si 실리콘에서 전자 채널 형성되었을 때의 mobility값 1350보다 작은 값이 나왔습니다
Subthreshold swing 값은 일반적인 값인 0.1(저는0.07로알고있는뎋ㅎ) 보다 크게나왔습니다.
변형된 일함수이다. 이상적인 MOS Capacitor에서는 =이다.
3.1.1.1. Substrate가 p-type Semiconductor 일 때
p - type 이란 최외각 전자가 4개 이하인 dopant를 반도체에 doping하여 정공(hole)이 많이 생겨 (+)전하를 띠고 있는 반도체를 말한다.
(그림 2) Si에 Doing 되어있는 B원자(p-type)
이번 실험에서는 Source와 Drain을 만들지 못하고 Si위에 와 Pt를 올려서 만들었고 그림은 다음과 같이 볼 수 있으나 원리는 MOSFET와 같다고 볼 수 있다.
1) 산화공정(Oxidation)
열 산화법은 산화층 내부와 SiO2/Si 계면에 결함을 거의 생성시키지 않는 방법으로서 우수한 특성의 절연막을 형성시킬 수 있는
비정질 실리콘은 많은 분야에 있어서 응용되고 있으며, 잠재력을 갖고 있는 물질이다. 저온 공정이 가능하고 빛에 대한 높은 감도를 가지며, 대면적에서 균일한 특성을 가진다. 화학 연료에 의한 환경 파괴 및 에너지 고갈에 따른 대체 에너지의 일환으로 비정질 실리콘을 이용한 태양전지(solar cell)는
Converts sunlight directly into electricity
Non polluting
Long lasting sources of energy
No need of maintenance
In the long run, solar electricity is cheaper
Electrons of dye absorb solar energy
Electrons of dye are excited & Generate electron-hole pairs
Electrons transfer from dye to FTO via TiO2
1/2 I3- + e 3/2 I- at counter electrode
3/2 I- 1/2